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文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2023-02-16 瀏覽數(shù)量：
隨著電子元器件的發(fā)展，靜電放電（Electro Static Discharge）對器件可靠性的危害愈發(fā)顯著。一方面，超大規(guī)模集成電路的發(fā)展，使得器件尺寸進一步縮小，器件對靜電變得更加敏感。
有統(tǒng)計表明，在由靜電放電產(chǎn)生的使用失效中，潛在性失效約90%，而突發(fā)性失效僅占10%。潛在性失效比突發(fā)性失效具有更大的危害，一方面是因為潛在性失效難以檢測，在器件制造時受到的潛在靜電損傷會影響使用時的壽命，而器件在裝配過程中受到的潛在靜電損傷會影響它裝入整機后的使用壽命；另外，靜電損傷具有積累性，即使一次靜電放電未能讓器件失效，多次靜電損傷累積起來最終必然使器件完全失效。
器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)的差異，會令器件具有不同的靜電放電破壞電壓范圍。
部分器件的靜電破壞電壓區(qū)間：
| 各類晶體 | 靜電破壞電壓(Volts) |
CMOS(import protected) | 250~3000 |
VMOS | 30~1800 |
MOSFET | 100~200 |
GaaSFET | 100~300 |
EPROM | 100 |
JFET | 140~7200 |
SAW | 150~500 |
在器件的早期設(shè)計階段，引入對耐靜電放電能力的驗證，顯得尤其重要。
目前對于器件的耐靜電放電能力的驗證測試，一般參考MIL-STD、JEDEC、AEC-Q等標(biāo)準(zhǔn)， 下表中列舉靜電測試模型與對應(yīng)的測試標(biāo)準(zhǔn)。
下表中列舉靜電測試模型與對應(yīng)的測試標(biāo)準(zhǔn)。
| IC ESD 參考標(biāo)準(zhǔn) | MIL-STD | JEDEC | AEC-Q | Other |
| HBM (Human Body Mode) | MIL-STD-883 | JS-001 2017 | AEC-Q100-002 | - |
| MM(Machine Mode) | - | JESD22-C115 | AEC-Q100-003 | - |
| SCDM(Socket CDM) | - | - | - | ANSI/ESD SP5.3.2 |
| CDM(Non-Socket) | - | JS002-2018 | AEC-Q-100-011 | EIA/ESDA-5.3.1 |
| Latch-Up 參考標(biāo)準(zhǔn) | MIL-STD | JEDEC | AEC Q | Other |
| Room Temp. Test | - | JESD-78 | - | - |
| High Temp. Test | - | JESD-78 | AEC-Q100-004 | - |
| System ESD 參考標(biāo)準(zhǔn) | MIL-STD | JEDEC | AEC Q | Other |
| HBM(Human Body Mode) | - | - | AEC-Q200-002 | IEC61000-4-2 |
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