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      晶振可靠性測(cè)試:高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)

      文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2023-09-28 瀏覽數(shù)量:

      晶振可靠性測(cè)試:高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)

      高溫試驗(yàn)是晶振在高溫條件下工作一段時(shí)間后,評(píng)定高溫對(duì)晶振的電氣和機(jī)械性能的影響;或者長(zhǎng)時(shí)間高溫存儲(chǔ)(不帶電)后,評(píng)定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性,可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 360B.108。

      低溫試驗(yàn)是長(zhǎng)時(shí)間低溫存儲(chǔ)(不帶電)后,評(píng)定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性,以及檢測(cè)封裝中足以對(duì)晶振產(chǎn)生不良影響的殘存濕氣,即通常的露點(diǎn)測(cè)試,可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 548B.1013.1。

      高低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(High/Low Temperature Storage)暴露的故障來(lái)源于元器件表面和內(nèi)部的物理和化學(xué)變化,例如:密封問(wèn)題,材料熱脹冷縮問(wèn)題,電性能產(chǎn)生的變化等。


      環(huán)境可靠性測(cè)試-1.png


      試驗(yàn)說(shuō)明

      高溫存儲(chǔ)試驗(yàn):

      工作溫度: 125°C±5°C; 存儲(chǔ)時(shí)間: 1000H±12H,不帶電; 實(shí)驗(yàn)結(jié)束后24±2Hrs內(nèi)進(jìn)行電性能測(cè)試。高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)可以使用“電熱恒溫箱”來(lái)進(jìn)行試驗(yàn),可參考標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-202 Method 108。

      低溫存儲(chǔ)試驗(yàn):

      工作溫度: -55°C±5°C; 存儲(chǔ)時(shí)間: 1000H±12H,不帶電; 實(shí)驗(yàn)結(jié)束后24±4Hrs進(jìn)行電性能測(cè)試。低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)可以使用“低溫試驗(yàn)機(jī)”,可參考標(biāo)準(zhǔn)JIS-C7021B-12。


      本試驗(yàn)對(duì)晶振的影響

      高溫存儲(chǔ)試驗(yàn):

      晶體諧振器頻率降低3.5ppm左右(5max),諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。

      低溫存儲(chǔ)試驗(yàn):

      晶體諧振器頻率降低2.5ppm左右(5max),諧振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶體振蕩器頻率降低3.5ppm左右(5 max)。


      公司外景.jpg


      廣東優(yōu)科檢測(cè)是專(zhuān)注于環(huán)境與可靠性測(cè)試的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu),可為企業(yè)客戶(hù)提供電子元器件環(huán)境與可靠性、安規(guī)和電性能、電磁兼容等試驗(yàn)項(xiàng)目,本實(shí)驗(yàn)室環(huán)境與可靠性試驗(yàn)設(shè)備齊全且數(shù)量多,設(shè)備性能穩(wěn)定、數(shù)據(jù)可靠,可出具專(zhuān)業(yè)有效的檢測(cè)報(bào)告。


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