AEC-Q200 REV D標(biāo)準(zhǔn)總共有14個(gè)表格，除表1列出通用測(cè)試的要求外，從表 2~14分別列出不同類型無(wú)源器件的測(cè)試方案和要求。薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試依據(jù)Table 4表格進(jìn)行測(cè)試，廣東優(yōu)科檢測(cè)具備AEC-Q200全項(xiàng)CNAS檢測(cè)資質(zhì)和檢測(cè)能力，可提供薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試服務(wù)，接下來(lái)為大家介紹下薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求。

薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求

1. High Temperature Exposure (Storage) 高溫存儲(chǔ)

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 108；

測(cè)試要求：1000小時(shí)。在額定工作溫度下（例如，85°C的零件可在85°C下儲(chǔ)存1000小時(shí)，同樣適用于100°C和125°C的零件），不通電。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。

2. Temperature Cycling 溫度循環(huán)

測(cè)試方法：JES D22 Method JA-104；

測(cè)試要求：1000次循環(huán)（-55°C至85°C）注：如果部分溫度為100°C或125°C，則1000次循環(huán)將處于該額定溫度。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。每個(gè)極端溫度下的最大停留時(shí)間為30分鐘。1分鐘，最大過渡時(shí)間。

3. Moisture Resistance 濕度抵抗

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 106；

測(cè)試要求：t=24小時(shí)/周期。注：不需要步驟7a和7b，不通電。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。

4. Biased Humidity 偏高濕度

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 103；

測(cè)試要求：1000小時(shí)40°C/93%相對(duì)濕度，額定電壓。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。

5. Operational Life 工作壽命

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 108；

測(cè)試要求：1000小時(shí)TA=85°C，注：如果100°C或125°C為1000小時(shí)，則條件D（1000小時(shí)）。會(huì)在那個(gè)溫度下。金屬化膜：85℃時(shí)為額定電壓的125%。85℃以上為額定電壓的100%。試驗(yàn)結(jié)束后24±4小時(shí)進(jìn)行測(cè)量。

6. External Visual 外觀

測(cè)試方法：MIL-STD-883 Method 2009；

測(cè)試要求：檢查產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、標(biāo)記和工藝。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。

7. Physical Dimension 尺寸

測(cè)試方法：JESD22 Method JB-100；

測(cè)試要求：驗(yàn)證物理尺寸是否符合適用的產(chǎn)品規(guī)范。注：用戶和供應(yīng)商規(guī)范。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。

8. Terminal Strength (Leaded) 端子強(qiáng)度（引腳）

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 211；

測(cè)試要求：僅測(cè)試引線設(shè)備的引線完整性。條件： A (2.27 kg), C (227 g), E (1.45 kg-mm)。

9. Resistance to Solvents 溶劑抵抗

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 215；

測(cè)試要求：注：也可使用水性化學(xué)清洗劑-OKEM clean或同等產(chǎn)品。不要使用禁用溶劑。

10. Mechanical Shock 機(jī)械沖擊

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 213；

測(cè)試要求：方法213的圖1。條件C

11. Vibration 振動(dòng)

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 204；

測(cè)試要求：5克20分鐘，3個(gè)方向各12個(gè)周期，使用8“X5”PCB，.031”厚。8”一側(cè)有7個(gè)安全點(diǎn)，另一側(cè)有2個(gè)安全點(diǎn)。安裝在距任何安全點(diǎn)2”范圍內(nèi)的零件。從10-2000赫茲進(jìn)行測(cè)試。

12. Resistance to Soldering Heat 耐焊接熱

測(cè)試方法：MIL-STD-202 Method 210；

測(cè)試要求：注：SMD使用程序2；對(duì)于含鉛使用程序1，焊料在裝置主體1.5mm范圍內(nèi)。

13. ESD 靜電放電

測(cè)試方法：AEC-Q200-002 Or ISO/DIS10605。

14. Solderability 可焊性

測(cè)試方法：J-STD-002；

測(cè)試要求：適用于含鉛和SMD。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。放大50倍。條件：含鉛：235°C時(shí)的方法A，第3類。SMD: a）方法B，155°C干熱235°C下4小時(shí)

b）215°C時(shí)的方法b第3類。c）260°c時(shí)的方法D第3類。

15. Electrical Characterization 電氣特性

測(cè)試方法：用戶規(guī)格；

測(cè)試要求：按批次和樣品尺寸要求進(jìn)行參數(shù)化測(cè)試，總結(jié)以顯示室溫下的最小、最大、平均和標(biāo)準(zhǔn)偏差以及最小和最大工作溫度。

16. Flammability 可燃性

測(cè)試方法：UL-94；

測(cè)試要求：可接受V-0或V-1。不需要進(jìn)行電氣測(cè)試。

17. Board Flex 板彎曲

測(cè)試方法：AEC-Q200-005；

測(cè)試要求：最短保持時(shí)間為60秒。

18. Terminal Strength (SMD) 端子強(qiáng)度（SMD）

測(cè)試方法：AEC-Q200-006。

薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試注意事項(xiàng)

1. 每個(gè)環(huán)境應(yīng)力測(cè)試項(xiàng)目前后都要進(jìn)行電參數(shù)測(cè)試，特別要求除外。

2. 1000小時(shí)的長(zhǎng)時(shí)間老化測(cè)試會(huì)額外增加250，500，1000小時(shí)幾個(gè)階段。

3. 一般電參數(shù)測(cè)試會(huì)是在室溫狀態(tài)（25±5 °C ）下進(jìn)行，應(yīng)力測(cè)試完成后24±4小時(shí)內(nèi)進(jìn)行。

4. No.15 電參數(shù)測(cè)試將會(huì)在宣稱的低溫，室溫，高溫中進(jìn)行測(cè)試。

5. 接受條件和要求參數(shù)依據(jù)客戶規(guī)格書進(jìn)行判定，AEC-Q200所有測(cè)試只接受零失敗。

以上就是關(guān)于薄膜電容AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試項(xiàng)目及要求的介紹，如果您有鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容、薄膜電容、可調(diào)電容等電容器產(chǎn)品需要做AEC-Q200認(rèn)證測(cè)試，歡迎聯(lián)系廣東優(yōu)科檢測(cè)工程師！