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      場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選機(jī)構(gòu)

      文章來(lái)源 : 廣東優(yōu)科檢測(cè) 發(fā)表時(shí)間:2023-11-13 瀏覽數(shù)量:

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選機(jī)構(gòu)

      元器件二次篩選是為剔除早期失效的元器件而進(jìn)行的可靠性無(wú)損試驗(yàn),為提高元器件的批可靠性,元器件使用方或其委托單位在承制方篩選的基礎(chǔ)上需要進(jìn)行二次篩選。

      優(yōu)科檢測(cè)是專業(yè)第三方電子元器件二次篩選機(jī)構(gòu),實(shí)驗(yàn)室具備場(chǎng)效應(yīng)晶體管CNAS檢測(cè)資質(zhì)和檢測(cè)能力,可提供場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選服務(wù)。


      場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選.jpg


      場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)

      GJB 33A-1997 《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》

      GJB 128A-1997 《半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法》

      GB/T 4586-1994 《半導(dǎo)體器件 第 8 部分 場(chǎng)效應(yīng)晶體管》


      場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選項(xiàng)目

      1. 內(nèi)部目檢;

      2. 溫度循環(huán);

      3. 恒定加速度;

      4. PIND;

      5. 編序列號(hào);

      6. 初始電參數(shù)測(cè)試;

      7. 老練;

      8. 終點(diǎn)電參數(shù)測(cè)試;

      9. 計(jì)算變化量;

      10. 計(jì)算PD;

      11. PDA;

      12. 密封試驗(yàn)(細(xì)檢漏、粗檢漏);

      13. X射線照相檢驗(yàn);

      14. 外觀檢查。


      場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目

      1. 柵源短路時(shí)柵極漏電流Igss

      2. 漏極電流Id(on)

      3. 漏-源短路漏極電流Idss

      4. 漏-源擊穿電壓Bydss

      5. 柵極閾值電壓Vgs (th)

      6. 正向跨導(dǎo)ggs(Vgs)

      7. 靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻Rds(on)


      場(chǎng)效應(yīng)晶體管二次篩選機(jī)構(gòu)


      電子元器件二次篩選流程

      1. 收樣、標(biāo)識(shí)、入庫(kù)、入系統(tǒng);

      2. 目檢;

      3. 電參數(shù)測(cè)試:按照產(chǎn)品規(guī)格書電性能或電氣性能測(cè)試;

      4. 老練篩選:高溫、反偏、功率等;

      5. 環(huán)境應(yīng)力測(cè)試:振動(dòng)、沖擊、離心加速度、溫度循環(huán);

      6. 密封性檢查:粗細(xì)檢漏、PIND;

      7. 三溫電參數(shù)測(cè)試:按照產(chǎn)品規(guī)格書電性能或電氣性能測(cè)試

      6. 打點(diǎn)、封裝、出庫(kù)。


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